传感器
投切电容器组真空断路器的研究与设计
2013-03-25 16:11  浏览:97
摘要 针对真空断路器在投切电容器组时存在的问题进行分析研究,阐述了重击穿形成的主要原因及我们对此提出的具体改进方案。

  关键词 真空断路器 灭弧室 电容器 重击穿 刚分速度 触头 改进设计

  1 绪论

  从开始研究到现在,真空断路器的发展取得了巨大的进步,生产制造技术日趋成熟,产品的性能及可靠性也基本上得到了保证。10kV的真空断路器已成为配电网的主力,而且被广泛的应用于并联电容器组的投切。但从这几年的数据统计看,目前10kV和35kV的真空断路器投切电容器组的重击穿率依然很高,10kV的在1.0%左右, 35kV的真空断路器由于质量大,工艺要求高,制造难度大,其投切电容器组的重击穿率更高,基本在2.6%左右。

  我们对现有的真空断路器进行测试,在曲线特性测试仪上,可清晰的看到动触头的运动位移曲线,动静触头在分离瞬间有小间隙(0.5mm左右)短时(1-3ms)停顿,如图4所示, AB为开距,B为刚分点。当开断大电流,有巨大电动排斥力存在,这种停顿或许不严重,但对于开断投切电容器组的小电流时就会有,并且危害极大。小间隙短时停顿会使电弧产生的金属蒸汽呈高气压,而高气压的金属蒸汽电弧就会具有大气电弧的一切特性,对触头烧损严重。动静触头表面必然会受到几百安培不应有的烧蚀,在触头表面出现对称的熔疤(见图2)。

  图4 现有真空断路器的分闸特性曲线

  若要提高真空断路器的初分速度,只有突破传统的设计观念,对断路器的主要部件真空灭弧室结构及机械传动的结构进行改进设计,其结构原理如图5。在真空灭弧室方面,将上导电杆改为可动的结构,即上下导电杆

  文国强(1972-),男,工程师,从事真空断路器的研究与开发。

  盛书成(1981-),男,工程师,从事真空断路器的研究与开发。


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